对于真空烧结炉的温度调节点，很多人更关注实际峰值温度。真空烧结炉的一个合适的温度范围，太高会被认为是过烧，太低会被认为是欠烧。这两种情况都没有合适的烧结效果。把握好温度控制是找到合适烧结温度范围的关键。如何判断是欠烧还是过烧？

　　欠烧时，穿透氮化硅的银浆残留，所以进入N型层的银浆也较少，欧姆接触效果不好，会造成串联电阻较大。

　　过烧时，银的消耗会比平时多，形成银硅混合层。这个混合层会起到阻挡作用，也会串联形成过大的阻力。所以不能仅凭电阻推断是欠烧还是过烧。

　　当无法判断烧结状态时，可以调整8区的温度，找到大致的调整点，然后慢慢进行微调。微调可以通过后场的状态来判断。如果后场稍微凸起，那是因为过烧，要微调降低温度。

　　开始烧结前，需要确认各加热管是否能正常工作。检查各温区灯的输出功率是否高于其他温区灯的平均值，以确保平均烧结。

　　真空烧结炉是通过高温加热使物体或物质的形状缩小的装置。它可以减少物体中的空隙，逐渐聚集晶界并逐渐连接固体颗粒，从而实现密度增加和物体减少的多晶烧结体。

　　气控系统:由小型空压机、气动三联件、电磁换向阀、管路等组成。用于驱动真空系统和充气系统的气动阀。

　　水冷系统:根据真空炉各部分对冷却水的要求，制作排水管、阀门和管道；炉体、炉门、水冷压轴、水冷电缆、水冷电极强制冷却；主进水管路上装有水压检测开关；要求使用厂家自带的水箱或主进出水管路。